អេឡិចត្រុងមានថាមពល

អេឡិចត្រុងអេឡិចត្រុងមានថាមពល

ក្នុង មេកានិចកង់ទិច អេឡិចត្រុងមាន បន្ទុកអគ្គីសនី $${\ displaystyle e}និង ពេលម៉ាញ៉េ $${\ displaystyle {\ boldsymbol {\ mu}}}ដែលតម្លៃទាំងស្រុងស្មើទៅនឹង ម៉ាញ៉េម៉ុងប៊ុម $${\ displaystyle \ mu _ {B}}។ បច្ចេកវិទ្យាគណនាបច្ចេកវិទ្យានាពេលបច្ចុប្បន្នផ្តល់នូវការចោទប្រកាន់អេឡិចត្រុងនៅក្នុង ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ ដើម្បីដំណើរការព័ត៌មាននិងការវិលអេឡិចត្រុងនៅក្នុង ឧបករណ៍ ផ្ទុកមេដែក ដើម្បីកកកុញវា។ វិស័យលេចធ្លោនៃ spintronics មានគោលបំណងក្នុងការបង្រួបបង្រួមប្រតិបត្តិការនៃប្រព័ន្ធរងទាំងនេះ។ សម្រាប់ការសម្រេចបាននូវគោលដៅនេះ, អេឡិចគួរត្រូវបានបង្វិលដោយវាលអគ្គិសនីប្រតិបត្តិនិង អនុភាព Dipole អគ្គិសនីបង្វិល ( EDSR ) ជាផ្នែកមួយនៃឧបករណ៍មានប្រសិទ្ធិភាពបំផុតសម្រាប់ការសម្រេចបាននូវគោលដៅនេះ។ វាអនុញ្ញាត្តិឱ្យដំណើរការនៃ ការ ផ្លាស់ប្តូរ ឆ្អឹងវិល តាមរយៈការបន្លឺសំឡេង$${\ displaystyle ac} វាលអគ្គិសនី។

មាតិកា

 

• ទ្រឹស្តី1
  • 1.1ផ្សំអេឡិចត្រុងទៅនឹងវាលអគ្គីសនីដោយប្រើអាតូមនិងអាតូម
  • 1.2យន្តការមូលដ្ឋាននៅក្នុងគ្រីស្តាល់
    • 1.2.1ប្រភពដើមនៃអាំងតង់ស៊ីតេខ្ពស់នៃអេឌីអេសអេច: ទ្រឹស្ដីសាមញ្ញនិងយន្តការរូបវិទ្យា
• 2ពិសោធន៍
• 3កម្មវិធី
• 4សូមមើលផងដែរ
• 5អានបន្ថែម
• 
  

ទ្រឹស្ដី 

អាំងតេក្រាលអាតូមអេឡិចត្រុង ត្រូវបានគេស្គាល់ផងដែរថាជា អេឡិចត្រុងអាំងតង់ស៊ីតេប៉ារ៉ាម៉េ នគឺដោយសារតែគូស្វាម៉ីភឺម៉ាញ៉េទិក$${\ displaystyle {\ boldsymbol {\ mu}}} ទៅវាលម៉ាញ៉េទ័រខាងក្រៅ $${\ displaystyle {\ boldsymbol {B}}}តាមរយៈ Hamiltonian $${\ displaystyle H = - ({\ boldsymbol {\ mu}} \ cdot {\ boldsymbol {B}})}}ពិពណ៌នាអំពី ភាពស្រពេចស្រពិល របស់វា ។ ពេលម៉ាញ៉េ$${\ displaystyle {\ boldsymbol {\ mu}}}ត្រូវបានទាក់ទងទៅនឹង សន្ទុះ អេឡិចត្រុង ជ្រុង $${\ displaystyle {\ boldsymbol {S}}}} ដូច $${\ displaystyle {\ boldsymbol {\ mu}} = g {\ mu_ {B}} {\ boldsymbol {S}}}ដែលជាកន្លែង $${\ displaystyle g}នេះគឺជា ដី ក្រាម -factor ។ សម្រាប់អេឡិចត្រុងដោយឥតគិតថ្លៃនៅក្នុងការខ្វះចន្លោះ$${\ displaystyle g \ approx 2}។ អន្តរកម្ម Larmor quantizes កម្រិតថាមពលអេឡិចនៅក្នុងការបង្វិល DC វាលម៉ាញេទិក$${\ displaystyle B} ដូច $${\ displaystyle E _ {\ pm} = \ pm {\ frac {1} {2}} g \ mu_ {ខ} ខ}និងជា resonant AC វាលម៉ាញេទិក $${\ displaystyle {\ tilde {\ boldsymbol {B}}} (t)} នៃភាពញឹកញាប់ $${\ displaystyle \ omega _ {S} = g \ mu _ {B} B / \ hbar}លទ្ធផលនៅក្នុង អេឡិចត្រុង paramagnetic resonance ។

បន្សំអេឡិចត្រុងទៅនឹងវាលអគ្គីសនីក្នុងអាប់ដេតនិងអាតូម

អេឡិចត្រុងផ្លាស់ប្តូរក្នុងការខ្វះចន្លោះនៅក្នុងមួយ AC វាលអគ្គិសនីមើលឃើញ, នេះបើយោងតាមការ ផ្លាស់ប្តូរ Lorentz, វាលម៉ាញេទិច ac មួយនៅ កណ្តាលនៃ ប្រព័ន្ធ ដ៏ធំមួយ។ ទោះយ៉ាងណាសម្រាប់អេឡិចត្រុងយឺត ៗវាលនេះខ្សោយណាស់ដែលឥទ្ធិពលរបស់វាអាចមិនត្រូវបានគេយកចិត្តទុកដាក់។ នៅក្នុងអាតូមអុបទិកអេឡិចត្រុងនិងវិលវល់ត្រូវបានផ្សំគ្នាដោយសារតែវាលអគ្គីសនីនៃស្នូលដូចខាងក្រោមនេះមកពី សមីការឌីរ៉ាក ។ គូស្វាមីភរិយានេះត្រូវបានគេស្គាល់ថាជា អន្តរកម្ម spin-orbit ដែលមានទំហំតូចនៅក្នុង ថេររចនាសម្ព័ន្ធល្អ ។ ទោះជាយ៉ាងណាថេរនេះលេចឡើងនៅក្នុងការរួមបញ្ចូលគ្នាជាមួយចំនួនអាតូមមួយ ដូច, ^[1] ហើយផលិតផលនេះគឺមានលំដាប់នៃការរួបរួមរួចទៅហើយនៅក្នុងពាក់កណ្តាលនៃ តារាងតាមកាលកំណត់នេះ ។ ការបង្កើនការផ្គូផ្គងរវាងគំលាតគន្លងនិងវិលនេះមានប្រភពចេញពីអេឡិចត្រូនិចដ៏ខ្លាំងក្លានិងល្បឿនអេឡិចត្រុងនៅជិតនុយគ្លី។ ខណៈពេលដែលយន្ដការនេះត្រូវបានរំពឹងថាប្តីប្រពន្ធផងដែរបង្វិលអេឡិចត្រុងដើម្បី ac វាលអគ្គិសនី, ដូចមានប្រសិទ្ធិភាពមួយត្រូវបានគេប្រហែលជាមិនដែលសង្កេតឃើញនៅក្នុង spectroscopy បរមាណូ។

យន្តការមូលដ្ឋាននៅក្នុងគ្រីស្តាល់ 

សំខាន់ជាងនេះទៅទៀតការបង្កើនគម្លាតគន្លងគោចរនៅក្នុងអាតូមនេះបកប្រែទៅ ជាគន្លង spin-orbiting នៅក្នុងគ្រីស្តាល់ដែលបានបង្កើតឡើងពីអាតូមឬអ៊ីយ៉ុងដូចជាអាចមានភាពខ្លាំងសូម្បីតែអេឡិចត្រុងយឺត។ វាក្លាយជាផ្នែកមួយដ៏សំខាន់នៃ រចនាសម្ព័ន្ធក្រុម នៃវិសាលគមថាមពលរបស់ពួកគេ។ សមាមាត្រនៃការបែកចង្កូតវិលជុំនៃបន្ទះទៅ គម្លាតហាមឃាត់ ក្លាយទៅជាប៉ារ៉ាម៉ែត្រដែលវាយតំលៃប្រសិទ្ធិភាពនៃការផ្គុំគន្លង spin-orbit ហើយវាជាទូទៅនៃលំដាប់នៃការរួបរួម។

ជាលទ្ធផលអេឡិចត្រុងយឺត ៗ ក្នុងអង្គធាតុរឹងមានគូស្វាញវិលជុំយ៉ាងខ្លាំង។ នេះមានន័យថា Hamiltonian នៃអេឡិចត្រុងដោយឥតគិតថ្លៃក្នុងគ្រីស្តាល់មួយរួមបញ្ចូលទាំងផ្នែកខាងចំហៀងជាមួយ electronics quasimomentum $${\ displaystyle {\ boldsymbol {k}} = {\ boldsymbol {p}} / \ hbarក៏ ម៉ាទីប៉ូល $${\ displaystyle {\ boldsymbol {\ sigma}}}និងពាក្យដែលរួមបញ្ចូលទាំងពីររបស់ពួកគេគឺមិនតូចទេ។ ការផ្សំអេឡិចត្រុងទៅនឹង អេឡិចត្រូម៉ាញេទិក ខាងក្រៅ អាចរកឃើញដោយការជំនួស$${\ displaystyle {\ boldsymbol {k}} \ rightarrow {\ boldsymbol {k}} - (e / \ hbar c) {\ boldsymbol {A}}}ដូចដែលត្រូវបានទាមទារដោយការ ផ្លាស់ប្តូររង្វាស់ នៃទ្រឹស្ដីនៅទីនេះ$${\ displaystyle {\ boldsymbol {A}}}គឺ សក្តានុពលវ៉ិចទ័រ ហើយការជំនួសត្រូវបានគេស្គាល់ថាជា Peierls ជំនួស។ ហើយដោយសារតែវាលអគ្គិសនី$${\ displaystyle {\ boldsymbol {E}} = - {\ frac {1} {c}} \ partial {\ boldsymbol {A}} / \ partial t}វាត្រូវបានគេភ្ជាប់ទៅអេឡិចត្រុងហើយអាចបង្កើត ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ វិល ។

អនុភាពបង្កើនបន្ថយ Dipole អគ្គិសនី (EDSR) គឺជា អនុភាពបង្កើនបន្ថយអេឡិច ជំរុញដោយ resonant AC វាលអគ្គិសនី $${\ displaystyle {\ tilde {\ boldsymbol {E}}}}។ ពីព្រោះ ប្រវែង Compton $${\ displaystyle \ lambda _ {C} = \ hbar / mc \ approx 4 \ times 10 ^ {- 11}}សង់ទីម៉ែត្រចូលទៅក្នុង មេដែកប៊ឺរ $${\ displaystyle \ mu _ {B} = e \ lambda _ {C} / 2}និងការត្រួតពិនិត្យគូនៃអេឡិចត្រុងទៅ វាលម៉ាញេទិច ac$${\ displaystyle {\ tilde {\ boldsymbol {B}}}}ខ្លីច្រើនជាងប្រវែងលក្ខណៈទាំងអស់នៃ រូបវិទ្យារដ្ឋរឹង , EDSR អាចជាបានដោយការបញ្ជារបស់ magnitude ខ្លាំងជាង អេឡិចអនុភាព paramagnetic ជំរុញដោយ AC វាលម៉ាញេទិក។ EDSR ត្រូវបានស្នើឡើងដោយ Rashba ។

EDSR ជាធម្មតាខ្លាំងបំផុតនៅក្នុងសមា្ភារៈដោយគ្មានមជ្ឈមណ្ឌលច្រាសដែលការធ្លាក់ចុះពីរដងនៃវិសាលគមថាមពលត្រូវបានលើកនិងពេលវេលាស៊ីមទ័រ Hamiltonians រួមបញ្ចូលទាំងផលិតផលរបស់ ម៉ាទីនម៉ារីស $${\ displaystyle {\ boldsymbol {\ sigma}}} និងអំណាចសេសនៃ quasimomentum $${\ displaystyle {\ boldsymbol {k}}}។ ក្នុងករណីបែបនេះអេឡិចត្រុងវិលត្រូវបានផ្សាភ្ជាប់ជាមួយវ៉ិចទ័រ - សក្តានុពល$${\ displaystyle {\ tilde {\ boldsymbol {A}}}}នៃវាលអេឡិចត្រូម៉ាញ៉េទិច។ គួរអោយកត់សំគាល់ EDSR លើអេឡិចត្រុងដោយស្វ័យប្រវត្តិអាចត្រូវបានគេសង្កេតឃើញមិនត្រឹមតែភាពញឹកញាប់នៃប្រេកង់$${\ displaystyle \ omega _ {S}}ប៉ុន្តែក៏នៅបន្សំលីនេអ៊ែររបស់វាជាមួយ ប្រេកង់ ស៊ីតូស៊ីរ៉ុន$${\ displaystyle \ omega _ {C}}។ នៅក្នុងឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកតូចចង្អៀតដែលមានមជ្ឈមណ្ឌលច្រាសចង្វាក់ EDSR អាចលេចចេញជារូបរាងដោយផ្ទាល់ពីចរន្តអគ្គិសនី$${\ displaystyle {\ tilde {\ boldsymbol {E}}}} ទៅកូអរដោនេដែលមិនធម្មតា $${\ displaystyle {\ boldsymbol {r}} _ {SO}}សូមមើល អន្តរកម្ម Spin ឬតារាវិទូ ។

EDSR ត្រូវបានអនុញ្ញាតិឱ្យប្រើជាមួយអ្នកដឹកជញ្ជូនដោយឥតគិតថ្លៃនិងអេឡិចត្រុងដែលជាប់នឹងពិការភាព។ ទោះជាយ៉ាងណាក៏ដោយសម្រាប់ដំណើរផ្លាស់ប្តូររវាង បន្ទាត់ភ្ជាប់ Kramers conjugate ចែងថាអាំងតង់ស៊ីតេរបស់វាត្រូវបានបង្ក្រាបដោយកត្តាមួយ$${\ displaystyle \ hbar \ omega _ {S} / \ Delta E} ដែលជាកន្លែង $${\ displaystyle \ Delta E} គឺជាការបំបែករវាងកម្រិតជាប់គ្នានៃចលនាគន។

ប្រភពដើមនៃអាំងតង់ស៊ីតេខ្ពស់នៃ EDSR: ទ្រឹស្ដីសាមញ្ញនិងយន្តការកាយ 

ដូចមានចែងខាងលើយន្តការនានារបស់ EDSR ដំណើរការនៅក្នុងគ្រីស្តាល់ផ្សេងៗ។ យន្ដការនៃប្រសិទ្ធិភាពខ្ពស់ទូទៅរបស់វាត្រូវបានបង្ហាញដូចខាងក្រោមដែលត្រូវបានអនុវត្តទៅអេឡិចត្រុនៅក្នុង Semiconductors គម្លាតផ្ទាល់នៃប្រភេទ InSb ។ ប្រសិនបើមានគម្លាតវិលជុំ - បំបែកកម្រិតថាមពល$${\ displaystyle \ Delta _ {ដូច្នេះ}} គឺប្រៀបធៀបទៅនឹងគម្លាតហាមឃាត់ $${\ displaystyle E_ {G}}ដែលជាម៉ាស់អេឡិចត្រុងដ៏មានប្រសិទ្ធិភាព $${\ displaystyle m ^ {*}}និង g -factor របស់វា អាចត្រូវបានវាយតម្លៃនៅក្នុងគ្រោងការណ៍នៃគ្រោងការណ៍ Kane មើល [[[$${\ displaystyle k \ cdot} ទ្រឹស្តីអវិជ្ជមាន]]

$${\ displaystyle m ^ {*} \ approx {\ frac {\ hbar ^ {2} E_ {ច}} {P ^ {2}}}, \, \, \, g | \ approx {\ frac {m_ {0} P ^ {2}} {\ hbar ^ {2} E _ {}}}}},,

ដែលជាកន្លែង $${\ displaystyle P \ approx 10eV \ mathrm {\ AA}} គឺជាប៉ារ៉ាម៉ែត្រ coupling រវាងអេឡិចត្រុងជាក្រុម valence មួយនិង $${\ displaystyle m_ {0}} គឺម៉ាសអេឡិចត្រុងនៅក្នុងការខ្វះខាត។

ការជ្រើសរើស យន្តការ ភ្ជាប់គន្លងវិល - គន្លង ដោយផ្អែកលើកូអរដោនេដែលមិនធម្មតា$${\ displaystyle {{\ boldsymbol {r}} _ {so}}}(សូមមើល ការផ្គុំគន្លងវិលជុំ ) ក្រោមលក្ខខណ្ឌ$${\ displaystyle \ Delta _ {so} \ approx E_ {G}}, យើង មាន

$${\ displaystyle r_ {} ដូច្នេះ \ approx {\ frac {\ hbar ^ {2} | g | k} {m_ {0} E_ {មី}}}}

ដែលជាកន្លែង $${\ displaystyle k}គឺអេឡិចត្រុង quasimomentum ។ បន្ទាប់មកថាមពលនៃអេឡិចត្រុងក្នុង AC វាលអគ្គិសនី$${\ displaystyle {\ tilde {E}}} គឺ

$${\ displaystyle U = er_ {so} {\ tilde {E}} \ ប្រហាក់ប្រហែល {\ tilde {E}} {\ frac {P ^ {2}} {E_ {}} ^ {2}}} k \ approx e {\ tilde {E}} {\ frac {\ hbar ^ {2} k} {m ^ {*} E_ {ច}}} ។ }

អេឡិចត្រុងមួយកំពុងផ្លាស់ប្តូរនៅក្នុងសូលុយស្យុងដែលមានល្បឿន $${\ displaystyle \ hbar k / m_ {0}}នៅក្នុង ac វាលអគ្គិសនី$${\ displaystyle {\ tilde {E}}}មើលឃើញ, នេះបើយោងតាមការ ផ្លាស់ប្តូរ Lorentz វាលម៉េញ៉េមានប្រសិទ្ធិភាព$${\ displaystyle {\ tilde {B}} = {v / c} {\ tilde {E}}}។ ថាមពលរបស់វានៅក្នុងវាលនេះ

$${\ displaystyle} {m} {0} ^ {2 } c ^ {2}}},}

ដែលជាកន្លែង $${\ displaystyle \ mu _ {B}} គឺម៉ាញ៉េតូ Bohr និង $${\ displaystyle c}គឺជាល្បឿននៃពន្លឺ។ សមាមាត្រនៃថាមពលទាំងនេះ

$${\ frac {m_ {0} គ} {2}} { E_ {G}}}}។

កន្សោមនេះបង្ហាញយ៉ាងច្បាស់ថាតើឥទ្ធិពលនៃ EDSR លើ អេឡិចត្រុងអេឡិចត្រុងអិច ចេញមកពីណា។ ភាគយក$${\ displaystyle m_ {0} c ^ {2} \ approx}0.5MeV នៃកត្តាទីពីរគឺពាក់កណ្តាលនៃគម្លាត Dirac ខណៈពេល $${\ displaystyle E_ {G}}គឺជាមាត្រដ្ឋានអាតូមិក, $${\ displaystyle E_ {G} \ approx}1 វ៉េ។ យន្តការខាងក្រោយនៃការរីកចំរើននេះគឺផ្អែកទៅលើការពិតដែលថានៅខាងក្នុងអេឡិចត្រុងអេឡិចត្រុងផ្លាស់ទីក្នុងវាលស្នូលនៃស្នូលហើយនៅពាក់កណ្តាល តារាងតាមកាលកំណត់ ផលិតផល$${\ displaystyle Ze ^ {2} / \ hbar c} នៃចំនួនអាតូម $${\ displaystyle Z}និង ថេររចនាសម្ព័ន្ធល្អ $${\ displaystyle e ^ {2} / \ hbar c \ approx 1/137}គឺជាលំដាប់នៃការរួបរួមហើយវាគឺជាផលិតផលនេះដែលដើរតួនាទីនៃថេរបណ្តុំប្រសិទ្ធិភាព។ បង្វិលគូស្វាម៉ីភរិយា ។ ទោះជាយ៉ាងណាក៏ដោយយើងគួរចងចាំថាអំណះអំណាងខាងលើដោយផ្អែកលើ ការ ប៉ាន់ស្មាន ម៉ាស់មានប្រសិទ្ធភាព មិនត្រូវបានអនុវត្តទៅអេឡិចត្រុងដែលបានធ្វើមូលដ្ឋានីយកម្មនៅកណ្តាលនៃមាត្រដ្ឋានអាតូមិកទេ។ ចំពោះពួកវា អេឡិចត្រុងអេឡិចត្រុង្យ៉ុង ជាទូទៅជាយន្តការលេចធ្លោ។ពិសោធន៍ 

EDSR ត្រូវបានគេសង្កេតឃើញជាលើកដំបូងដោយពិសោធន៍ជាមួយក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូនឥតគិតថ្លៃនៅក្នុង Indium antimonide (InSb) ដែលជាឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកដែលមាន គន្លឹះបង្កើនគន្លងវិល ។ ការសង្ខបដ្លបានធ្វើឡើងតាមល័ក្ខខ័ណ្ឌពិសោធន៍ផ្ស្ង ៗ គ្នាបានអនុញ្ញ្តិឱ្យធ្វើនិងសង្ក្តរកយន្តការនានារបស់ EDSR ។ នៅក្នុងសម្ភារៈកខ្វក់មួយកណ្តឹង បានសង្កេតឃើញបន្ទាត់ EDSR ដែលតូចចង្អៀតក្នុងចលនាប្រេកង់ធៀបនឹងផ្ទៃខាងក្រោយនៃ ក្រុមតន្ត្រី ស៊ីដនី ។ MacCombe et al ។ ធ្វើការជាមួយ InSb ដែលមានគុណភាពខ្ពស់សង្កេតឃើញអេសូទ័រ EDSR ជំរុញដោយ យន្តការនៅប្រេកង់ combinational  ដែលជាកន្លែង គឺ ប្រេកង់ ស៊ីណូស៊ីតុន ។ រង្វង់ EDSR ដែលមានការបង្វែរទិសដៅដោយមិនរអាក់រអួល ការភ្ជាប់សុដន់របស់គូស្នេហ៍ Dresselhaus ត្រូវបានគេសង្កេតឃើញនៅក្នុង InSb តាមប្រេកង់វិលដោយ Dobrowolska et al ។គូស្វាម៉ីភរិយាបង្កើនបន្ថយតារាវិថី នៅក្នុង n -Ge ដែលបង្ហាញរាងវាតាមរយៈអេឡិចត្រុ anisotropic យ៉ាងខ្លាំង ក្រាម លទ្ធផល -factor ក្នុង EDSR តាមរយៈការបំបែកស៊ីមេទ្រីបកប្រែដោយវាលអគ្គិសនី inhomogeneousដែលលាយមុខងាររលកនៃជ្រលងខុសៗគ្នា។អ៊ីអេសអ៊ីអេសអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដបានសង្កេតឃើញនៅក្នុងអេឡិចត្រូនិកអេឡិចត្រូនិកស៊ីឌីអិនអេឌីMnអេកត្រូវបានគេភ្ជាប់ដើម្បី បង្វិលគន្លងគោចរ តាមរយៈវាលផ្លាស់ប្តូរមនុស្សមិនមានលក្ខណៈដូចគ្នា។ អេឌីអេសអេហ្វ (EDSR) ត្រូវបានគេសង្កេតនិងសិក្សាលើប្រព័ន្ធផ្ទុកទិន្នន័យដែលមានបីសណ្ឋាន (3D) រួមទាំងការបែកបាក់នៅក្នុងស៊ី។ ធាតុមួយដែលមានគន្លឹះ spin-orbit យ៉ាងខ្លាំង ។ រាល់ការសាកល្បងទាំងអស់ខាងលើត្រូវបានអនុវត្តនៅក្នុងប្រព័ន្ធនៃត្រីមាត្រ (3D) ។
កម្មវិធី 

កម្មវិធីសំខាន់នៃ EDSR ត្រូវបានរំពឹងថាក្នុង កុំព្យូទ័រ និងឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិក spintronics ហើយបច្ចុប្បន្នត្រូវបានផ្តោតទៅលើប្រព័ន្ធទាបវិមាត្រ។ គោលដៅចម្បងមួយរបស់វាគឺការរៀបចំលឿននៃការវិលអេឡិចត្រុងបុគ្គលនីមួយៗតាមខ្នាត nanometer ដូចជាឧទាហរណ៏ក្នុង ចំនុច Quantum ប្រហែល 50 nm ។ ចំនុចបែបនេះអាចដើរតួនាទីជា qubits នៃសៀគ្វីកុំព្យូទ័រ Quantum ។ វាលម៉ាញ៉េដែលអាស្រ័យពេលវេលា$${\ displaystyle {\ boldsymbol {B}} (t)} ជាក់ស្តែងមិនអាចដោះស្រាយការវិលជុំរបស់អេឡិចត្រុងនីមួយៗនៅតាមខ្នាតបែបនេះទេប៉ុន្តែការបង្វិលបុគ្គលនីមួយៗអាចត្រូវបានដោះស្រាយបានយ៉ាងល្អដោយដែនអគ្គីសនីដែលពឹងផ្អែកលើពេលវេលា $${\ displaystyle {\ boldsymbol {E}} (t)}ផលិតដោយច្រកទ្វារ nanoscale ។ យន្តការមូលដ្ឋានទាំងអស់នៃ EDSR ដែលបានរាយខាងលើត្រូវបានដំណើរការនៅក្នុង ចំណុចកង់ទិច ,ប៉ុន្តែនៅក្នុងការ$${\ displaystyle_ {3}}ខ$${\ displaystyle_ {5}}សមាសធាតុផ្សំគ្នានៃ អ៊ីន អេឡិចត្រុងទៅនឹងល្បែងនុយក្លេអ៊ែរដើរតួនាទីយ៉ាងសំខាន់។ដើម្បីទទួលបាននូវល្បឿន qubits ដែលដំណើរការដោយ EDSR  ត្រូវការ nanostructures ជាមួយ coupling spin-orbiting យ៉ាងខ្លាំង ។ សម្រាប់ អន្តរកម្ម Rashba$${\ displaystyle H_ {R} = \ អាល់ហ្វា (\ sigma _ {x} k_ {y} - \ sigma _ {y} k_ {x})} កម្លាំងនៃអន្តរកម្មត្រូវបានកំណត់ដោយមេគុណ $${\ displaystyle \ alpha}។ នៅក្នុង ខ្សែកាប Quantum InSb ទំហំនៃ$${\ displaystyle \ alpha} នៃមាត្រដ្ឋានបរមាណូប្រហែល 1 អេវី$${\ displaystyle \ mathrm {\ AA}}ត្រូវបានសម្រេចរួចហើយ។ មធ្យោបាយផ្សេងគ្នាសម្រាប់ការសម្រេចបាននូវ qubits បង្កើនល្បឿនលឿនដោយផ្អែកលើចំណុច Quantum ដែលប្រតិបត្តិដោយ EDSR កំពុងប្រើ nanomagnets ផលិតវាលម៉ាញ៉េមិនធម្មតាមើលឃើញ អន្តរកម្ម spin ឬតារាវិទូ ។

សូមមើលផងដែរ 

• ម៉ាស់ប្រសិទ្ធិភាព (រូបវិទ្យារឹងរបស់រដ្ឋ)
• អាំងតេក្រាលប៉ារ៉ាមិចអេឡិចត្រុង
• គូស្វាម៉ីភរិយា Hyperfine
• g -factor, Landé g -factor
• ការផ្ទុកម៉ាញ៉េ
• ការគណនា Quantum
• Qubit
• ផលប៉ះពាល់ Rashba
• គូស្វាប់គន្លងគន្លងគោចរ
• Spintronics

អានបន្ថែម 

• Y. Yafet, កត្តា G និងការសំរាកលំហែអ័ក្សអេឡិចត្រូនិកនៃអេឡិចត្រុង។ 14 , 1-98 (Academic, NY) ឆ្នាំ 1963 ។
• EI Rashba និង VI Sheka អ័ក្សអេឡិចត្រូនិកអេឡិចត្រូម៉ាញ៉េទិចនៅក្នុង ដី Land Level Spectroscopy (ហូឡង់ខាងជើងទីក្រុងអាំស្ទែរដាំ) ឆ្នាំ 1991 ទំព័រទំ។ 131-206 ។
• GL Bir និង GE Pikus, ឥទ្ធិពលស៊ីមេទ្រីនិងឥទ្ធិពលប៉ះពាល់ដល់ឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិក (Wiley, ញូវយ៉ក) ឆ្នាំ 1975 ។

• Twitter
• Facebook
• Google
• Tumblr
• Pinterest